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產(chǎn)品介紹

HANWA HED-T5000 傳輸線脈沖 (TLP)測(cè)試設(shè)備

SD(靜電放電)測(cè)試是在半導(dǎo)體可靠性測(cè)試期間進(jìn)行的。ESD測(cè)試對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的開發(fā)和半導(dǎo)體制造的最終生產(chǎn)過(guò)程中的質(zhì)量保證都是不可少的。HANWA HED-T5000 傳輸線脈沖 (TLP)測(cè)試設(shè)備HED-T5000 |T5000-VF |T5000-HCTLP 測(cè)試機(jī)l 用于獲取器件保護(hù)電路的相關(guān)參數(shù)特性l 為器件升級(jí)提供支持,縮短產(chǎn)品周期l 提供普通和VF(非??欤┬吞?hào)。VF模型提供正常(100nm / 200nm)和VF(1nm-)脈沖寬度。l 具有半自動(dòng)探針臺(tái)整合功能的可選自動(dòng)測(cè)試可大大提高生產(chǎn)率。l 可與HED-W5000,ESD(HBM,MM)測(cè)試儀結(jié)合使用現(xiàn)在提供大電流輸出

HANWA HED-T5000 傳輸線脈沖 (TLP)測(cè)試設(shè)備

產(chǎn)品詳情

SD(靜電放電)測(cè)試是在半導(dǎo)體可靠性測(cè)試期間進(jìn)行的。ESD測(cè)試對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的開發(fā)和半導(dǎo)體制造的最終生產(chǎn)過(guò)程中的質(zhì)量保證都是不可少的。HANWA HED-T5000 傳輸線脈沖 (TLP)測(cè)試設(shè)備


HANWA HED-T5000 傳輸線脈沖 (TLP)測(cè)試設(shè)備


HED-T5000 |T5000-VF |T5000-HC


TLP 測(cè)試機(jī)

l 用于獲取器件保護(hù)電路的相關(guān)參數(shù)特性

l 為器件升級(jí)提供支持,縮短產(chǎn)品周期

提供普通和VF(非常快)型號(hào)。VF模型提供正常(100nm / 200nm)和VF(1nm-)脈沖寬度。

l   具有半自動(dòng)探針臺(tái)整合功能的可選自動(dòng)測(cè)試可大大提高生產(chǎn)率。

l   可與HED-W5000,ESD(HBM,MM)測(cè)試儀結(jié)合使用現(xiàn)在提供大電流輸出型號(hào)(T5000-HC)。

HANWA HED-T5000 傳輸線脈沖 (TLP)測(cè)試設(shè)備


TLP 測(cè)試機(jī) 產(chǎn)品系列

此設(shè)備是對(duì)保護(hù)電路的工作特性進(jìn)行模擬測(cè)試的設(shè)備

對(duì)集成電路里保護(hù)電路的工作參數(shù)的收集與分析有很大幫助

也可進(jìn)行VF-TLP測(cè)試

產(chǎn)品名/型號(hào)設(shè)備說(shuō)明設(shè)備介紹視頻

           HANWA HED-T5000 傳輸線脈沖 (TLP)測(cè)試設(shè)備            
HED-T5000/
           HED-T5000VF

此設(shè)備配備了先進(jìn)的測(cè)試模式
           
           具備印加脈沖寬度為100ns/200ns的normal TLP測(cè)試與寬度到1ns的VF-TLP(Very Fast TLP)測(cè)試模式
           
           有助于驗(yàn)證HBM/CDM模式的測(cè)試
           
           對(duì)于器件管腳的入射波和器件管腳發(fā)出的反射波,都可在示波器上確認(rèn)到
           
           此數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)保存,并在專用的顯示軟件上表示
           
           專用顯示軟件可對(duì)入射波/反射波的合計(jì)值,snapback特性以及漏電流測(cè)試的電流值進(jìn)行圖形描繪
           
           被保存的示波器上的數(shù)據(jù)可以進(jìn)行高自由度的演算處理
           
           比如,對(duì)于不同工藝的晶體管的ON電壓及可以加在保護(hù)電路上的最大電流值等,可以通過(guò)曲線的重疊描繪來(lái)確認(rèn)其差異
           
           并且可以與半自動(dòng)探針臺(tái)連接,實(shí)現(xiàn)TLP測(cè)試的自動(dòng)化
           
           由于可以在Wafer level上進(jìn)行印加管腳間或芯片間的自動(dòng)移位,所以能夠很大地提升測(cè)試效率



           HANWA HED-T5000 傳輸線脈沖 (TLP)測(cè)試設(shè)備            
HED-T5000-HC

目前,對(duì)于半導(dǎo)體器件的高集成度?高頻?高耐壓的需求逐年增加
           
           對(duì)于在以往的TLP測(cè)試機(jī)無(wú)法完成的高電壓?大電流的特性測(cè)試,在本設(shè)備上得以實(shí)現(xiàn)、并有助于高耐壓元件工作參數(shù)的取得及分析




 

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